三极管
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晶体三极管
发射极和集电极的特征:(补充)
互换不改变名词
区域改一改
三极管内部的电路分配:
我们怎么控制电流分配,让三极管为什么有放大能力
\(\(V_{BE}>0\)\)
\(\(V_{BC}<0\)\)
eb的PN结比较薄,bc的PN结比较厚
N区电子往P区走,je的结变薄,电流的扩散 基区的特点是很薄,电子进入之后称为少数载流子,但是碰到空穴概率较低
因为jc是反向的,促进了少子的漂移运动,促进的漂移运动,所以绝大部分越过了基区,进入了c区
两个二极管为什么不能重叠得到一个三极管
因为基区太厚了
放大电路的组成: 1. 信号源 2. 输出负载 3. 电源 4. 放大电路
共基组态
输入c,输出e,公共端是b
共射电路
输入特性:类似于\(PN\)结,只是\(V_{CE}\)的增加会导致曲线右移,在\(V_{CE}\)大于1v以后,几乎无法区分曲线
输出特性:\(\(i_c=f(v_{CE})|_{i_B=C}\)\)
截止区的电路模型
理想的截止区的\(i_c\)在图中看不出来,因为电流很小
饱和区
很靠近纵轴,最理想情况下是就是纵轴的时候
判断依据:PN结都是正偏
发射极电子能出来,但是到达集电极就很少了
饱和压降:饱和情况下的ce之间的电压差,理想情况下是0-0.7v之间
深度饱和是0.3v
大于0.7v就是放大
be正偏,ce反偏
vbe=0.7,vce=0.7v
分析电路状态
首先判断是否是截止
- 发射结是否反偏
- ib是否小于0倒流
然后按照放大模型计算
再看看是否满足vce>0.7v,或者\(I_c=\overline{\beta} I_B\)
最后按照临界饱和模型计算
再重新算一下
例题:
三极管的主要参数
温度升高,输入特性:发射结正向压降减小,温度系数在-2.5mV/C
输出特性:温度升高,输出特性曲线上移,间距拉大,\(\beta\)增加
